Setup in fase di allestimento, dedicato alla deposizione di film sottile tramite la tecnica “Reactive Ion Etching” (RIE).
Lo scopo della macchina RIE è quello di realizzare etching di pattern in diversi tipi di materiali (ad esempio silicio) usando un plasma chimicamente reattivo. Il plasma, generato in di vuoto da un campo elettromagnetico, è diretto verso un substrato sul quale era stato precedentemente realizzato un pattern tramite e-beam, fotoresist o con una hard mask. Gli ioni ad alta energia dal plasma reagiscono con il materiale sulla superficie del wafer o del chip e formano composti volatili che desorbono dalla superficie, rimuovendo gli atomi del materiale target.
SPECIFICHE TECNICHE
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Gli spessori trattati si limitano a pochi micrometri
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Gas reattivi: Ar, O2
TECNICHE DISPONIBILI
- Reactive Ion Etching (RIE)
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