
SPECIFICHE TECNICHE
-
Pressione in alto vuoto < 10-7mbar; pressione parziale con gas inerti o reattivi nel range 0.1 - 100 mbar;
-
Laser a eccimeri - ArF (Lambda PhysikCOMPex 102);
-
durata del singolo impulso: 30 ns;
-
lunghezza d'onda: 193 nm;
-
Repetition Rate: 1 - 20 Hz;
-
energia del singolo impulso: 0 - 120 mJ;
-
-
Sistema multi-target in rotazione con 3 possibili alloggiamenti;
-
Riscaldamento del substrato fino a 800 °C;
-
Sistema home-made di movimentazione micrometrica del substrato;
-
Distanza target-substrato: 3-10 cm;
-
Possibilità di effettuare deposizioni plasma-assistite utilizzando un generatore RF da 13.56 MHz (mod. Huttinger PFG 300, potenza max. 300 W).
TECNICHE DISPONIBILI
- Pulsed Laser Deposition in HV o atmosfera reattiva
CAMPIONI
-
Dimensione dei campioni 4 x 4 cm2 (massima), 1 x 1 cm2 (ideale);
-
L'integrità meccanica dei campioni è richiesta, in quanto montati in posizione verticale.
UTILIZZATO PER
-
La deposizione di film sottili di:
- Materiali a base carbonio
- Semiconduttori (e.g., AlN)
- Materiali termoelettrici e termoionici (e.g., PbTe, ZnSb)
- Boruri, carburi e ossidi (e.g., WC)
- Leghe
ESEMPI APPLICATIVI
Carbon nitride films by RF plasma assisted PLD: Spectroscopic and electronic analysis
- I film sottili di nitruro di carbonio (CNx) sono stati cresciuti su Si <100> mediante ablazione con laser ns-ArF (193 nm) su un bersaglio di grafite pura, in un plasma di N2 a bassa pressione generato con RF, e sono stati confrontati con campioni cresciuti con PLD in atmosfera di azoto puro.
Si veda: E. Cappelli et al. Appl. Surf. Sci. 257 (2011) 5175-5180


ZnSb-based thin films prepared by ns-PLD for thermoelectric applications
Film sottili nanostrutturati a base di ZnSb sono stati prodotti tramite Pulsed Laser Deposition (PLD) utilizzando un laser ns-ArF (193 nm) e un sistema di deposizione multi-target. I film sono stati preparati secondo una struttura multi-layer, ottenuta aggiungendo diversi droganti (Cr, Ag) all'interno della matrice di ZnSb.
Si veda: A. Bellucci et al., Appl. Surf. Sci. 418 (2017) 589-593