DISSIPO - Ambiente di Simulazione Integrato Elettromagnetico Termico e FiSico per l’ottimizzazione delle preStazioni in dIspositivi di POtenza a Semiconduttori

01 Luglio 2020 Progetti

L’obiettivo del progetto è la realizzazione di un dimostratore di HPA (High Power Amplifier) ibrido nel range di frequenza 11-12 GHz con una potenza di uscita maggiore di 60 W e un’efficienza maggiore del 45%, ottimizzando tecnologie in GaN (nitruro di gallio).

L’obiettivo del progetto è la realizzazione di un dimostratore di HPA (High Power Amplifier) ibrido nel range di frequenza 11-12 GHz con una potenza di uscita maggiore di 60 W e un’efficienza maggiore del 45%, ottimizzando tecnologie in GaN (nitruro di gallio). I dispositivi a radiofrequenza su GaN/AlGaN trovano applicazione nei moderni radar (fissi, mobili, avionici) e in sistemi di telecomunicazioni terrestri e satellitari, civili e militari. L’amplificatore, progettato da Leonardo S.p.A. in collaborazione con CNR-IMM, costituisce l’elemento unitario di un trasmettitore a stato solido per radar a lungo raggio, da utilizzare per il controllo del territorio.
Per quel che riguarda le attività affidate all’Unità Operativa CNR-ISM, coordinata dal candidato, l’obiettivo è sviluppare una tecnologia di deposizione di film di diamante policristallino con tecnica HF-CVD (Hot Filament-assisted Chemical Vapour Deposition) su substrati di silicio e carburo di silicio da 4 pollici. Il film di diamante così realizzato, vista la sua altissima conducibilità termica, svolgerà la funzione di dissipatore termico sul lato posteriore del wafer per l’amplificatore realizzato in tecnologia GaN/AlGaN su SiC.
Per quel che riguarda le attività affidate all’Unità Operativa CNR-ISM, l’obiettivo era lo sviluppo di una tecnologia di deposizione di film di diamante policristallino con tecnica HF-CVD (Hot Filament-assisted Chemical Vapour Deposition) su substrati di silicio e carburo di silicio da 4 pollici. Il film di diamante così realizzato, vista la sua altissima conducibilità termica, svolgerà la funzione di dissipatore termico sul lato posteriore del wafer per l’amplificatore realizzato in tecnologia GaN/AlGaN su SiC.

Area Tematica: ICT, Aerospazio
Ente Finanziatore: Regione Lazio
Anno di inizio: 2018
Anno Fine: 2019
Bando/Call: KETs Lazio
Acronimo: DISSIPO
Titolo: Ambiente di Simulazione Integrato Elettromagnetico Termico e FiSico per l’ottimizzazione delle preStazioni in dIspositivi di POtenza a Semiconduttori
Budget ISM (k€):11
Ruolo ISM:Unit Coordinator
Referente ISM:Daniele M. Trucchi
Altro personale staff ISM Coinvolto: Alessandro Bellucci, Matteo Mastellone, Marco Girolami
Laboratorio: DiaTHEMA

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