Venerdì, 19 Luglio 2024 15:07

Gap spin-dipendente al punto di Dirac in Grafene interfacciato Europio - Nuova pubblicazione

(a) ARPES spin-integrata del grafene/Eu/Ni(111). (b) Derivata seconda della mappa (a). (c) Curve EDC spin-minoritaria (rossa) e spin-maggioritaria (blu) acquisite al centro del cono di Dirac. (d) Polarizzazione di spin corrispondente allo spettro (c). (e) Calcolo DFT spin-risolto della struttura a bande del sistema. (f) Calcolo della curvatura di Berry. (g) Superficie di Fermi sperimentale. (a) ARPES spin-integrata del grafene/Eu/Ni(111). (b) Derivata seconda della mappa (a). (c) Curve EDC spin-minoritaria (rossa) e spin-maggioritaria (blu) acquisite al centro del cono di Dirac. (d) Polarizzazione di spin corrispondente allo spettro (c). (e) Calcolo DFT spin-risolto della struttura a bande del sistema. (f) Calcolo della curvatura di Berry. (g) Superficie di Fermi sperimentale.

Uno studio delle proprietà elettroniche del sistema Grafene/Ni(111) intercalato con un monolayer di Eu è stato condotto da un gruppo di ricercatori CNR-ISM e pubblicato su Physical Review Letters, è stato scelto come Editor’s suggestion.
Questo sistema permette di indurre una polarizzazione di spin nel grafene e contemporaneamente di mantenere quasi inalterate le sue caratteristiche elettroniche.
Misure di spettroscopia di fotoemissione (ARPES) risolte in angolo e in spin unite a calcoli DFT mostrano che il sistema mantiene la dispersione lineare dei coni di Dirac del grafene, nonostante la presenza del substrato di Ni fortemente interagente.

L'ibridizzazione dei coni di Dirac con gli stati 4f dell’Eu rimuove la degenerazione di spin dello stato π inducendo l’apertura di un’ampia gap di banda spin-dipendente al punto di Dirac e una curvatura di Berry finita attraverso la gap.
Nell'articolo si dimostra che nella eterostruttura grafene/Eu/Ni la rottura della simmetria time-reversal indotta dall’ordine magnetico apre la strada al manifestarsi di fenomeni di trasporto esotici come l’effetto Hall anomalo. Il forte doping elettronico del sistema dovuto alla presenza dell’Eu porta una singolarità di van Hove del grafene molto vicino al livello di Fermi che interagisce con gli stati di valenza dell’Eu spin-polarizzati e diventa spin-polarizzata a sua volta.
Le nostre misure ARPES e il modello a multi-corpi rivelano la presenza di un kink e di un satellite dovuti all'accoppiamento elettrone-fonone e al forte drogaggio del sistema dovuto alla presenza degli atomi di Eu.
Questi risultati aprono la strada alla trasformazione del grafene in un transistor a effetto campo di spin o in una valvola di spin o in un dispositivo spin-transfer torque, nonché alla realizzazione nel grafene di una superconduttività non convenzionale, fasi quantiche o stati topologici isolanti.
Il lavoro è una collaborazione di CNR-ISM con CNR-IOM, Università di Calabria, Forschungszentrum Jülich and JARA, Università Ca’ Foscari di Venezia, Elettra Sincrotrone e ICTP.

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