L'ISM è attivo nella preparazione di semiconduttori organici (oligotiofeni π-coniugati) interagenti con superfici metalliche per applicazioni optoelettroniche. Si tratta di semiconduttori di tipo p in grado di auto-organizzarsi all'interfaccia con l'elettrodo per massimizzare il trasporto di carica nel dispositivo. Tale processo è la chiave per lo sviluppo di un'elettronica molecolare che costituisca una valida alternativa, a basso costo, all'elettronica tradizionale. L'attività va oltre l'uso di semiconduttori organici commerciali (ad es. il tertiofene, 3T). Particolare interesse riveste la sintesi di composti quali l’1,3-ditienilbenzo[c]tiofene (DTBT) e analoghi, caratterizzati dalla presenza di un anello benzenico condensato con l'oligotiofene, che consentono marcate variazioni delle proprietà ottiche del sistema. Le attività recenti dell'ISM consistono nello studio accurato di tali interfacce elettrodo-semiconduttore per mezzo di spettroscopia ottica convenzionale e di luce di sincrotrone, assistite da simulazioni ab initio su scala atomica dell'interfaccia stessa. Risultati preliminari per il sistema DTBT/Ag dimo-strano che i processi di interazione oligotio-fene-metallo hanno un ruolo estremamente importante nel determinare la formazione di un'interfaccia ordinata piuttosto che la degradazione del semiconduttore sull'elettrodo.
Staff: Ambra Guarnaccio, Giuseppe Mattioli, Antonio Santagata