Permette l’analisi di diversi tipi di materiali su un range di temperatura tra -70 e 350 °C. L’apparato è composto da una camera in vuoto criogenica, internamente alla quale il campione viene montato ed analizzata, ed un’elettronica che controlla sia la misura della tensione termica generata, tramite nano-voltmetro, e il controllo in temperatura. Il sistema è connesso ad una workstation tramite RS-232, con la quale è possibile il controllo del sistema via software.
ll processo di misurazione adottato da questo sistema prevede il confronto tra due tensioni termogenerate, una sviluppata da un materiale noto (rame o costantana) e presa come riferimento, l'altra generata dal materiale da analizzare. Conoscendo il coefficiente del materiale di riferimento è possibile estrapolare, attraverso semplici calcoli analitici, il coefficiente del campione in analisi.
SPECIFICHE TECNICHE
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Range di temperature Range: -70 °C to 350 °C;
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Pressione base: 5 x 10-3 mbar;
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Misure del coefficente Seebeck altamente accurate, con una risoluzione di 50 nV;
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Generazione di un gradiente di temperatura sul campione, potenza utilizzabile Min: 0.01W, Max: 1W;
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Lunghezza campioni: >2 mm e <10 mm
CAMPIONI
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I campioni devono avere una geometria filiforme con un diametro di 1 mm e una lunghezza pari a circa 5 mm, per cercare di riprodurre la forma del campione di riferimento;
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I film sottili possono essere cresciuti su cilindri di allumina sottili con un diametro di 1 mm e una lunghezza pari a circa 5 mm per cercare di riprodurre la forma del campione di riferimento.
ESEMPI APPLICATIVI
ZnSb-based thin films prepared by ns-PLD for thermoelectric applications
Film sottili nanostrutturati a base di ZnSb sono stati prodotti tramite Pulsed Laser Deposition (PLD) utilizzando un laser ns-ArF (193 nm) e un sistema di deposizione multi-target. I film sono stati preparati secondo una struttura multi-layer, ottenuta aggiungendo diversi droganti (Cr, Ag) all'interno della matrice di ZnSb.
Si veda: A. Bellucci et al., Appl. Surf. Sci. 418 (2017) 589-593
Nano-crystalline Ag–PbTe thermoelectric thin films by a multi-target PLD system
È stata valutata la capacità della tecnica di ablazione con laser pulsato in ArF di crescere film sottili nano-cristallini di PbTe ad alta temperatura e di ottenere un drogaggio uniforme e controllato di Ag, sull'intero spessore del film, utilizzando un sistema multi-target in vuoto.
Si veda: E. Cappelli et al., Appl. Surf. Sci. 336 (2015) 283-289
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