Il Germanio (Ge), uno dei primi semiconduttori storicamente impiegati per dispositivi elettronici, è tornato nuovamente alla ribalta come substrato ottico per imaging ad infrarossi, in cui i laser a impulsi utraveloci (della durata del femtosecondo) possono essere utilizzati per ottimizzarne la lucidatura finale (polishing).
CNR-ISM, in collaborazione con l'Università di Tlemcen (Algeria), ha sviluppato un modello teorico in grado di seguire dinamicamente l'evoluzione di nanostrutture periodiche ad alta frequenza spaziale (HSFL-LIPSS) indotte da un laser al femtosecondo su superfici di film sottili di Germanio.
Il modello, denominato TTM++, è un evoluzione del noto modello a due temperature (TTM), e può essere vantaggiosamente applicato a tutti i materiali con banda proibita (semiconduttori, dielettrici). Inoltre, la fattibilità di un nuovo metodo di irraggiamento a bassa fluenza (modalità "burst") è stata studiata per la prima volta sul Germanio, migliorando il controllo dell'intero processo di nanostrutturazione e riducendo al minimo il danno termico indotto dal laser.