Il diamante esibisce caratteristiche intrinsiche da semiconduttore che lo rendono il materiale ideale per la fabbricazione di dispositivi a stato solido per alta frequenza e/o alta potenza. L'idrogeno forma sulla superficie del diamante un dipolo che trasforma il suo comportamento da isolante in un conduttore di tipo p.
La natura peculiare del trasporto di carica indotto dall'idrogeno è tipico di un gas quasi bidimensionale di lacune, che permette lo sviluppo di dispositivi elettronici semplici dal punto di vista tecnologico e altamente performanti. Infatti, canali conduttivi di tipo p hanno permesso lo sviluppo di MESFET a canale superficiale con frequenze operative fino a 120 GHz. Il sistema diamante idrogenato può essere usato anche per produrre sensori di gas e sensori bioelettrochimici. Il pieno sfruttamento per applicazioni commerciali si basa sulla comprensione, a livello micro-scopico, del meccanismo alla base dell'aumento della conducibilità elettrica, che dipende strettamente dai dettagli della struttura elettronica, questione ancora oggi sfuggente.
Staff: S. Iacobucci, P. Alippi, A. Bellucci, M. Girolami, D.M. Trucchi
Italiano (Italia) 
English (UK)